En dehors de l'aspect mercantile de ces composants; pour les personnes intéressées j'ai compilé un résumé
Définition de la mémoire
Organe qui permet l'enregistrement, la conservation et la restitution de données.
Anglais : storage memory.
Les différents types de mémoire
A) Les mémoires Vives RAM (Random Acces Memory) mémoire à accès direct
B) Les mémoires Mortes ROM (Random Only Memory) mémoire en lecture seule
A) Volatiles ou vives
2 catégories
Les mémoires statiques SRAM (Static Randon Access Module)
Sous différents formats de barrettes
Simm 30 connecteurs
Simm 72 connecteurs
Capacité de 32 bits ce qui implique de les apparier (les mettre par paire)
Dimm 2 encoches
Les mémoires dynamiques DRAM (Dynamic Random Access Module) Dynamique rafraîchissement régulier
DRAM PM la plus ancienne 64 ns
DRAM FPM (Fast Page Mode) Pagination
DRAM EDO (Extended Data Out) 33 a 66 Mhz
SD RAM Ram synchrone 150 Mhz 10 ns
DDR SDRAM (Double Data Rate SDRAM) double de la précédente
DDR2 SDRAM on arête pas le progrès.
SRAM (Static Random Access Memory. Mémoire vive statique), qui n'a pas besoin de rafraîchissement, contrairement à la DRAM.
D’autres types en fonction des fabriquants ou pour les PC portables et autres applications.
B) Les ROM (Random Acces Memory)
La PROM (Programmable Read Only Mémory) Ce sont des fusibles ou des diodes grillées par un programmateur. Si on se plante dans son algorithme c’est fichu !!!
EPROM (Electrique PROM) équipée d’une fenêtre et par rayon UV on reconstitue les fusibles
Et enfin les EEPROM (Effaçable Electriquement PROM) effaçables par un simple courant électrique en place dans son environnement. C’est le flashage
Avec des variantes mémoires flash. La clé USB par ex..
Certains types D’EEPROM notamment en automatisme pour les API (Automates Programmables Industriels) sont équipées d’une fonction dite de Potain .
Les composants de l’EEPROM perdent de leur qualité au fur et mesure de leur cycles de lecture/écriture. Cette fonction incrémente un compteur et limite ces cycles a 10 000 de façon a assurer l’intégrité des donnée échangées.
30 Pins SIMM 72 Pins SIMM SDRAM
DIMM 2 encoches EPROM Carte a puce
Dernière modification par Papy (2009-06-19 06:31:12)
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2 Nouveaux type de mémoire annoncées pour Juin 2009
Pram
Mémoire à accès aléatoire à changement de phase (Phase-Change Ram).
Mémoire électronique permanente (conservant l'information sans alimentation électrique) utilisant le changement de phase d'un matériau particulier, existant sous deux formes, vitreuse et cristalline. Le passage de l'une à l'autre est assuré par une élévation en température, l'opération représentant l'écriture d'un 0 ou d'un 1. Le matériau utilisé est un verre à chalcogénures (calchogenide glass en anglais, souvent traduit, à tort, par verre chalcogénide ou chalcogènide).
Ce procédé est également employé pour les disques réinscriptibles, CD ou DVD (les « RW » et non les « R »), dans lesquelles l'information est codée par les changements de phases du matériau. Dans ce cas, l'écriture est réalisée par l'échauffement à l'aide du laser. La lecture est optique, le rayon laser étant mieux réfléchi par la forme cristalline que par la forme vitreuse.
Dans une PRam, l'écriture est réalisée par un échauffement créé par des impulsions électriques. La lecture est effectuée par un faible courant électrique. La résistivité (résistance électrique par unité de longueur) étant beaucoup plus forte pour la forme vitreuse que pour la forme cristalline, le courant sortant permet de distinguer les deux états.
Intel, Samsung et IBM ont présenté des modèles de PRam. Son domaine d'utilisation est celui de la mémoire Flash, avec l'avantage d'une vitesse d'écriture trente fois plus élevée et une durée de vie dix fois plus grande (chiffres annoncés par Samsung). En février 2008, Intel et STMicroelectronics ont présenté une PRam à quatre états.
Définition du verre a chalcogénures
Composé chimique comprenant un chalcogène (oxygène, soufre, sélénium, tellure ou polonium) en tant qu'ion négatif.
Les verres à base de chalcogénures présentent des propriétés particulières dans le domaine optique. Ils sont opaques dans le visible et transparents dans l'infrarouge. Ils sont utilisés pour de multiples applications : disques optiques réinscriptibles (RW), mémoire PRam, xérographie, systèmes de vision nocturne, etc.
ReRam
La ReRAM ou RRAM (Resistive Random Access Memory)
C'est une mémoire non volatile étudiée par plusieurs entreprises (dont Fujitsu, Sharp et Samsung). A l'échelle d'une cellule mémoire, contenant un 0 ou un 1, elle comporte une structure pouvant exister sous deux formes, présentant des résistances électriques différentes. Le passage de l'une à l'autre s'opère en appliquant une certaine tension aux bornes de cette résistance (écriture). La mesure de la résistance indique l'état de la mémoire (lecture).
Plusieurs matériaux ont été testés, dont des oxydes métalliques (nickel, titane...) ainsi que la perovskite (céramiques ferroélectriques). Quel que soit le matériau, le principe reste similaire. A l'écriture, quand la tension est suffisamment élevée, il se forme dans le substrat une structure en forme de filament de faible résistance électrique. Une tension plus forte parvient à rompre ce filament et la résistance électrique augmente (d'un facteur de l'ordre d'une centaine).
La ReRam est présentée comme une concurrente, et possible successeur de la mémoire Flash, présentant par rapport à elle l'avantage d'une possibilité plus grande de miniaturisation et d'une consommation moindre.
L'aspect de la future
Dernière modification par Papy (2009-05-20 07:35:02)
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Les mémoires de masse.
Mémoire externe de très grande capacité.
Anglais : mass storage.
En cours
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hummmmmmmmm j'avais pas lu cette autre fiche Papy très beau travail !!
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