Ferrailleur, que du bonheur !

2 Nouveaux type de mémoire annoncées pour Juin 2009

Pram

Mémoire à accès aléatoire à changement de phase (Phase-Change Ram).

Mémoire électronique permanente (conservant l'information sans alimentation électrique) utilisant le changement de phase d'un matériau particulier, existant sous deux formes, vitreuse et cristalline. Le passage de l'une à l'autre est assuré par une élévation en température, l'opération représentant l'écriture d'un 0 ou d'un 1. Le matériau utilisé est un verre à chalcogénures (calchogenide glass en anglais, souvent traduit, à tort, par verre chalcogénide ou chalcogènide).

Ce procédé est également employé pour les disques réinscriptibles, CD ou DVD (les « RW » et non les « R »), dans lesquelles l'information est codée par les changements de phases du matériau. Dans ce cas, l'écriture est réalisée par l'échauffement à l'aide du laser. La lecture est optique, le rayon laser étant mieux réfléchi par la forme cristalline que par la forme vitreuse.

Dans une PRam, l'écriture est réalisée par un échauffement créé par des impulsions électriques. La lecture est effectuée par un faible courant électrique. La résistivité (résistance électrique par unité de longueur) étant beaucoup plus forte pour la forme vitreuse que pour la forme cristalline, le courant sortant permet de distinguer les deux états.

Intel, Samsung et IBM ont présenté des modèles de PRam. Son domaine d'utilisation est celui de la mémoire Flash, avec l'avantage d'une vitesse d'écriture trente fois plus élevée et une durée de vie dix fois plus grande (chiffres annoncés par Samsung). En février 2008, Intel et STMicroelectronics ont présenté une PRam à quatre états.

Définition du verre a chalcogénures
    Composé chimique comprenant un chalcogène (oxygène, soufre, sélénium, tellure ou polonium) en tant qu'ion négatif.
Les verres à base de chalcogénures présentent des propriétés particulières dans le domaine optique. Ils sont opaques dans le visible et transparents dans l'infrarouge. Ils sont utilisés pour de multiples applications : disques optiques réinscriptibles (RW), mémoire PRam, xérographie, systèmes de vision nocturne, etc.


ReRam


La ReRAM ou RRAM (Resistive Random Access Memory)

C'est une mémoire non volatile étudiée par plusieurs entreprises (dont Fujitsu, Sharp et Samsung). A l'échelle d'une cellule mémoire, contenant un 0 ou un 1, elle comporte une structure pouvant exister sous deux formes, présentant des résistances électriques différentes. Le passage de l'une à l'autre s'opère en appliquant une certaine tension aux bornes de cette résistance (écriture). La mesure de la résistance indique l'état de la mémoire (lecture).

Plusieurs matériaux ont été testés, dont des oxydes métalliques (nickel, titane...) ainsi que la perovskite (céramiques ferroélectriques). Quel que soit le matériau, le principe reste similaire. A l'écriture, quand la tension est suffisamment élevée, il se forme dans le substrat une structure en forme de filament de faible résistance électrique. Une tension plus forte parvient à rompre ce filament et la résistance électrique augmente (d'un facteur de l'ordre d'une centaine).

La ReRam est présentée comme une concurrente, et possible successeur de la mémoire Flash, présentant par rapport à elle l'avantage d'une possibilité plus grande de miniaturisation et d'une consommation moindre.

L'aspect de la future

Dernière modification par Papy (2009-05-20 07:35:02)

hummmmmmmmm j'avais pas lu cette autre fiche Papy très beau travail !!